Измерение обратного тока коллектора. Биполярные транзисторы

02.03.2020

Статье мы с вами разобрали такой важный параметр транзистора, как коэффициент бета (β) . Но есть в транзисторе еще один интересный параметр. Сам по себе он ничтожный, но делов может наделать ого-го! Это все равно что галька, которая попала в кроссовок легкоатлету: вроде бы маленькая, а причиняет неудобство при беге. Так чем же мешает эта самая “галька” транзистору? Давайте разберемся…

Прямое и обратное включение PN-перехода

Как мы помним, транзистор состоит из трех полупроводников. , который у нас база-эмиттер называется эмиттерным переходом , а переход, который база-коллектор – коллекторным переходом.

Так как в данном случае у нас транзистор NPN, значит ток будет течь от коллектора к эмиттеру, при условии, что мы будем открывать базу, подавая на нее напряжение более чем 0,6 Вольт (ну чтобы транзистор открылся).

Давайте гипотетически возьмем тонкий-тонкий ножик и вырежем эмиттер прямо по PN-переходу. У нас получится как-то вот так:

Стоп! У нас что, получился диод ? Да, он самый! Помните, в статье вольтамперная характеристика (ВАХ) мы рассматривали ВАХ диода:

В правой части ВАХ мы с вами видим как веточка графика очень резко взлетела вверх. В этом случае мы подавали на диод постоянное напряжение вот таким образом, то есть это было прямое включение диода.

Диод пропускал через себя электрический ток. Мы с вами даже проводили опыты с прямым и обратным включением диода. Кто не помнит, можно прочитать .

Но если поменять полярность

то диод у нас не будет пропускать ток. Нас всегда так учили, и в этом есть доля правды, но… наш мир не идеален).

Принцип работы PN-перехода? Мы его представляли как воронку. Так вот, для этого рисуночка

наша воронка будет перевернута горлышком к потоку

Направление потока воды – это направление движения электрического тока. Воронка – это и есть диод. Но вот вода, которая попала через узкое горлышко воронки? Как же ее можно назвать? А называется она обратный ток PN перехода (I обр) .

А как вы думаете, если прибавить скорость течения воды, увеличится ли количество воды, которое пройдет через узкое горлышко воронки? Однозначно! Значит, если прибавлять напряжение U обр , то и увеличится обратный ток I обр , что мы с вами и видим в левой части на графике ВАХ диода:

Но до какого предела можно увеличивать скорость потока воды? Если она будет очень большой, наша воронка не выдержит, стенки треснут и она разлетится по кусочкам, так ведь? Поэтому на каждый диод можно найти такой параметр, как U обр.макс , превышение которого для диода равнозначно летальному исходу.

Например, для диода Д226Б:

U обр.макс = 500 Вольт, а максимальное обратное импульсное U обр. имп.макс = 600 Вольт. Но имейте ввиду, что электронные схемы проектируют, как говорится “с 30% запасом”. И если даже в схеме обратное напряжение на диоде будет 490 Вольт, то в схему поставят диод, который выдерживает более 600 Вольт. С критическими значениями лучше не играть). Импульсное обратное напряжение – это резкие всплески напряжения, которые могут достигать амплитудой до 600 вольт. Но здесь тоже лучше взять с небольшим запасом.

Так… а что я это все про диод да про диод… Мы же вроде как транзисторы изучаем. Но как ни крути, диод – кирпичик для построения транзистора. Значит, если приложить к коллекторному переходу обратное напряжение, то у нас через переход потечет обратный ток, как в диоде? Именно так. И называется такой параметр в транзисторе . У нас он обозначается как I КБО , у буржуев – I CBO . Расшифровывается как “ток между коллектором и базой, при открытом эмиттере” . Грубо говоря, ножка эмиттера никуда не цепляется и висит в воздухе.

Чтобы замерять обратный ток коллектора, достаточно собрать вот такие простенькие схемки:

Для NPN транзистора для PNP транзистора

У кремниевых транзисторов обратный ток коллектора меньше, чем 1 мкА, у германиевых: 1-30 мкА. Так как у меня замеряет только от 10 мкА, а германиевых транзисторов под рукой нет, то провести этот опыт я не смогу, так как разрешение прибора не позволяет.

Мы так и не ответили на вопрос, почему обратный ток коллектора имеет такое важное значение и приводится в справочниках? Все дело в том, что при работе транзистор рассеивает какую-то мощность в пространство, значит нагревается. Обратный ток коллектора очень сильно зависит от температуры и на каждые 10 градусов по Цельсию увеличивает свое значение в два раза. Не, ну а что такого? Пусть возрастает, никому же вроде не мешает.

Влияние обратного коллекторного тока

Все дело в том, что в некоторых схемах включения часть этого тока проходит через эмиттерный переход. А как мы с вами помним, через эмиттерный переход течет базовый ток. Чем больше управляющий ток (ток базы) тем больше управляемый (ток коллектора). Это мы с вами рассматривали еще в статье. Следовательно, малейшее изменение базового тока ведет к большому изменению коллекторного тока и вся схема начинает работать неправильно.

Как борются с обратным коллекторным током

Значит, самый главный враг транзистора – это температура. Как же с ней борются разработчики радиоэлектронной аппаратуры (РЭА)?

– используют транзисторы, у которых обратный коллекторный ток имеет очень малое значение. Это, конечно же, кремниевые транзисторы. Небольшая подсказка – маркировка кремниевых транзисторов начинается с букв “КТ”, что означает К ремниевый Т ранзистор.

– использование схем, которые минимизируют обратный ток коллектора.

Обратный ток коллектора – важный параметр транзистора. Он приводится в даташите на каждый транзистор. В схемах, которые используются в экстремальных температурных условиях, обратный ток коллектора будет играть очень большую роль. Поэтому, если собираете схему, где не используется радиатор и вентилятор, то, конечно же, лучше взять транзисторы с минимальным обратным коллекторным током.

Лабораторная работа

Исследование биполярного транзистора и транзисторного каскада в режиме малого сигнала. (4 часа)

Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер

Анализ зависимости коэффициента усиления по постоянному току от тока коллектора

Получение входных и выходных характеристик транзистора

Определение коэффициента передачи по переменному току

Исследование коэффициента усиления по напряжению в усилителях с общим эмиттером и общим коллектором

Определение фазового сдвига сигналов в усилителях

Измерение входного и выходного сопротивлений усилителей

Краткие сведения из теории:

Статический коэффициент передачи тока транзистора определяется как отношение тока коллектора I k к току базы I б:

Коэффициент передачи тока
определяется отношением приращения ∆I к коллекторного тока к вызывающему его приращению базового тока ∆I б:

Дифференциальное входное сопротивление r вх транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению ∆I б тока базы:

Дифференциальное входное сопротивление r вх транзистора в схеме С 07 через параметры транзистора определяется следующим выражением:

r б - распределенное сопротивление базовой полупроводника,

r э - дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое через выражение:

I э - постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое r б во много раз меньше второго, поэтому:

Дифференциальное сопротивление r э перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением r вх об транзистора в схеме с общей базой, которое может быть найдено по формуле:

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь и считать, что:

В транзисторном каскаде коэффициент усиления по напряжению определяется отношением амплитуд выходного напряжения к входному (сигналы синусоидальны):

Усилитель с общим эмиттером - коэффициент усиления по напряжению:

r к - сопротивление в цепи коллектора, которое определяется параллельным соединением сопротивления R к и сопротивлением нагрузки, чью роль может играть, например, следующий усилительный каскад:

r э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, равное

Для усилителя с сопротивлением R э в цепи эмиттера коэффициент усиления равен:

Входное сопротивление усилителя переменному току определяется как отношение амплитуд синусоидального входного напряжения и входного тока:

Входное сопротивление транзистора

Входное сопротивление усилителя по переменному току r вх вычисляется как параллельное соединение r i , R 1 , R 2 .

Значение дифференциального выходного сопротивления схемы по напряжению U хх холостого хода на выходе усилителя, которое может быть измерено как падение напряжения на сопротивлении нагрузки, превышающем 200 кОм , и по напряжению U вых, измеренного для данного сопротивления нагрузки R н из уравнения, решаемого относительно r вых

Сопротивление
можно считать разрывом в цепи нагрузки.

Приборы и элементы:

Биполярный транзистор 2N3904

Источник постоянной ЭДС

Источник переменной ЭДС

Амперметры

Вольтметры

Осциллограф

Резисторы

Функциональный генератор

Порядок проведения экспериментов:

Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи тока резистора

а) Собрать схему со схемой, изображённую на рисунке рис. 10_001

Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора
:

б) Изменить наминал источника ЭДС E б до 2,65В. Включить схему. Записать те же данные и подсчитать
.

в) Изменить наминал источника ЭДС E к до 5В. Включить схему. Записать те же данные и подсчитать
. Затем установить E к = 10В.

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

На схеме 10_001 изменить номинал источника ЭДС Е к до 0В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора для данных значений тока базы и напряжения коллектор-эмиттер.

Эксперимент 3.

а) В схеме 10_001 провести измерения тока коллектора I к для каждого значения E к и E б и заполнить таблицу. По данным таблицы 1 построить график зависимости I к от E к.

Таблица 1.

б) Собрать схему рис. 10_002.

Включить схему. Зарисовать осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб. Повторить измерения для каждого значения E б из таблицы 1. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы зарисовать на одном графике.

Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером.

а) Открыть файл 10_002. Установить значение напряжения источника E к =10В и провести измерения тока базы E б, напряжение база-эмиттер U бэ, тока эмиттера I э для различных значений напряжения источника E б в соответствии с таблицей 2.

Таблица 2.

б) Построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Открыть файл 10_003, включить схему. Зарисовать входную характеристику транзистора.

рис.10_003

г) По входной характеристике найти сопротивление r вх при изменении базового тока с 10мА до 30мА. По формуле:

Записать его значение.

Эксперимент 5. Исследование каскада с общим эмиттером в области малого сигнала

а) Собрать схему рис. 10_010

Установочные параметры приборов должны соответствовать изображению.

б) Включить схему. Для установившегося режима записать результаты измерений амплитуд входного и выходного сигналов (разность фаз можно определить про помощи Боде-плоттера). По результатам измерений амплитуд входного и выходного синусоидальных напряжений вычислить коэффициент усиления усилителя по напряжению.

в) Для схемы на рисунке определить ток эмиттера. По его значению вычислить дифференциальное сопротивление rэ эмиттерного перехода. Используя найденное значение вычислить коэффициент усиления каскада по напряжению.

г) Подключить резистор R д между точкой U вх и конденсатором С 1 , разомкнув ключ (space). Включить схему. Измерить амплитуды входного и выходного напряжения. Вычислить новое значение коэффициента усиления по напряжению по результатам измерения.

д) Переместить щуп канала А осциллографа в узел U б. Снова включить схему и измерить амплитуду U б напряжения в точке U б. Вычислить коэффициент усиления по напряжению, входной ток по результатам измерения U вх и U б. По U вх и i вх вычислить входное сопротивление r вх усилителя.

е) По значению коэффициента усиления тока β, полученному в эксперименте 1 и величине дифференциального сопротивления эмиттера r э (где взять?) вычислить входное сопротивление транзистора r i . Вычислить значение r вх используя значение сопротивлений R 1 , R 2 , r i . Результаты записать.

ж) Замкнуть резистор R д между узлом U вх и конденсатором C 1 , замкнув ключ (space). Переместить щуп канала А осциллографа в узел U вх. Установить наминал резистора R 2 2кОм. Затем включить схему и измерить амплитуды входного и выходного синусоидального напряжения. Используя результаты измерений, вычислить новое значение коэффициента усиления по напряжению.

з) Используя результаты измерений амплитуды выходного синусоидального напряжения в пункте б) и пункте ж), значение сопротивления нагрузки в пункте ж), вычислить выходное сопротивление усилителя.

и) Установить наминал резистора R н = 200кОм. Переставить щуп канала В осциллографа в узел U с и включить схему. Измерить постоянную составляющую выходного сигнала и записать результат измерения.

к) Вернуть щуп канала В осциллографа в узел U out . На осциллографе установить масштаб для входа 10мВ/дел. Убрать шунтирующий конденсатор С з и включить схему. Измерить амплитуды входного и выходного синусоидального напряжения. По результатам измерений вычислить значение коэффициента усиления каскада с ОЭ с сопротивлением в цепи эмиттера по напряжению.

л) По величине сопротивления r э и R э вычислить значение коэффициента усиления усилителя с ОЭ с сопротивлением в цепи эмиттера по напряжению.

От чего зависит ток коллектора транзистора?

Зависит ли коэффициент β дс от тока коллектора? Если да, то в какой степени? Обосновать ответ.

Что такое токи утечки транзистора в режиме отсечки?

Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения коллектор-эмиттер?

Что можно сказать по выходной характеристике о различии между базо-эмиттерным переходом и диодом, смещенным в прямом направлении?

Одинаково ли значение r вх при любом значении тока эмиттера?

Одинаково ли значение r э при любом значении тока эмиттера?

Как отличается практическое значение сопротивления r э от вычисленного по формуле?

Каково отличие практического и теоретического значений коэффициента усиления по напряжению?

Как влияет входное сопротивление на коэффициент усиления по напряжению?

какова связь между входным напряжением (узел U вх) и напряжением на базе (узел U б) при включении между ними сопротивления?

какое влияние оказывает понижение сопротивления нагрузки на коэффициент усиления по напряжению?

Как влияет сопротивление R э на коэффициент усиления по напряжению усилителя?

Каково отличие практического и теоретического значений напряжений U б, U э по постоянному току?

Почему значение коэффициента усиления по напряжению меньше еденицы?

Велико ли значение выходного сопротивления усилителя с ОК?

какова разность фаз входного и выходного синусоидальных сигналов?

в чем заключено главное достоинство схемы усилителя с ОК? В чем главное назначение этой схемы?

ГОСТ 18604.4-74*
(CT СЭВ 3998-83)

Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод измерения обратного тока коллектора

Transistors. Method for measuring collector reverse current

Дата введения 1976-01-01

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. N 1478 срок введения установлен с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 N 184 срок действия продлен до 01.01.91**

** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

ВЗАМЕН ГОСТ 10864-68

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1977 г., апреле 1984 г. (ИУС 9-77, 8-84).

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор - база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока коллектора (справочное приложение).

Общие условия при измерении обратного тока коллектора должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83 .

1. АППАРАТУРА

1.1. Измерительные установки, в которых используются стрелочные приборы, должны обеспечивать измерения с основной погрешностью в пределах ±10% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, и в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение менее 0,1 мкА.

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Для импульсного метода измерения при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, при использовании цифровых приборов - в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

1.2. Допускаются токи утечки в цепи эмиттера, не приводящие к превышению основной погрешности измерения сверх значения, указанного в п.1.1.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

2.1. Структурная электрическая схема для измерения обратного тока коллектора должна соответствовать указанной на чертеже.

Измеритель постоянного тока, - измеритель постоянного напряжения,
- напряжение источника питания коллектора, - испытуемый транзистор

(Измененная редакция, Изм. N 2).

2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока не должно превышать 5% от показаний измерителя постоянного напряжения .

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока превышает 5%, то необходимо увеличить напряжение источника питания на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока .

2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока коллектора не должна превышать 2%.

Значение напряжения указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения .

2.3. Допускается проводить измерение мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят по схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

2.3.1. Длительность импульса должна выбираться из соотношения

Включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление резистора и внутреннее сопротивление генератора импульсов;

- емкость коллекторного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора должна быть

2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. N 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток коллектора измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на коллектор подают обратное напряжение и с помощью измерителя постоянного тока измеряют обратный ток коллектора .

Допускается измерять обратный ток коллектора по значению падения напряжения на калиброванном резисторе , включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение . Если падение напряжения на резисторе превышает , то необходимо увеличить напряжение на значение, равное падению напряжения на резисторе .

(Измененная редакция, Изм. N 1).

3.2. Порядок проведения измерения импульсным методом аналогичен указанному в п.3.1.

3.3. При измерении импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее 3 с момента начала импульса.

ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Информационные данные о соответствии ГОСТ 18604.4-77 СТ СЭВ 3998-83

ПРИЛОЖЕНИЕ
Справочное

ГОСТ 18604.4-74 соответствует разд.1 СТ СЭВ 3998-83.

(Введено дополнительно, Изм. N 2).

Электронный текст документа
подготовлен АО "Кодекс" и сверен по:
официальное издание
Транзисторы биполярные.
Методы измерений: Сб. ГОСТов. -
М.: Издательство стандартов, 1986

УДК 621.382.3.083.8:006.354 Группа Э29

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ

Метод намерения обратного тока коллектора

Method for measuring collector reverse current

(СТ СЭВ 3998-83)

ГОСТ 10864-68

Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 14 июня 1974 г. № 1478 срок введения установлен с 01.01.76

Проверен в 1984 г. Постановлением Госстандарта от 29.01.85 № 184 срок действия продлен ДО 01.01.94

Несоблюдение стандарта преследуется по закону

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора I к бо (ток через переход коллектор - база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА.

Стандарт соответствует СТ СЭВ 3998-83 в части измерения обратного тока коллектора (справочное приложение).

Общие условия при измерении обратного тока коллектора должны соответствовать требованиям ГОСТ 18604.0-83.

1. АППАРАТУРА

Для измерительных установок с цифровым отсчетом основная погрешность измерения должна быть в пределах ±5 % от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

Издание официальное Перепечатка воспрещена

* Переиздание (декабрь 1985 г.) с Изменениями № 1, 2, утвержденными в августе 1977 г., апреле 1984 г.

ГНУС 9-77, 8-84).

Для импульсного метода измерения I%бо при использовании стрелочных приборов основная погрешность измерения должна быть в пределах ±15% от конечного значения рабочей части шкалы, если это значение не менее 0,1 мкА, при использовании цифровых приборов-в пределах ±10% от измеряемого значения ±1 знак младшего разряда дискретного отсчета.

2. ПОДГОТОВКА К ИЗМЕРЕНИЮ

испытуемый транзистор

(Измененная редакция, Изм. № 2).

2.2. Основные элементы, входящие в схему, должны соответствовать требованиям, указанным ниже.

2.2.1. Падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 не должно превышать 5 % от показаний измерителя постоянного напряжения ИП2.

Если падение напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1 превышает 5 %, то необходимо увеличить напряжение источника питанияч U с на значение, равное падению напряжения на внутреннем сопротивлении измерителя постоянного тока ИП1.

2.2.2. Пульсация напряжения источника постоянного тока коллектора не должна превышать 2%.

Значение напряжения U K указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов и контролируют измерителем постоянного напряжения ИП2.

2.3. Допускается проводить измерение 1кбо мощных высоковольтных транзисторов импульсным методом.

Измерение проводят но схеме, указанной в стандарте, при этом источник постоянного тока заменяют генератором импульсов.

2.3.1. Длительность импульса т и должна выбираться из соотношения

где x=R г -С/с - ,

Rr - включенное последовательно с переходом транзистора суммарное сопротивление резистора и внутреннее сопротивление генератора импульсов;

С к -емкость коллекторного перехода испытуемого транзистора, значение которой указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов.

(Измененная редакция, Изм. № 1, 2).

2.3.2. Скважность импульсов должна быть не менее 10. Длительность фронта импульса генератора Тф должна быть

т ф <0,1т и.

2.3.3. Значения напряжения и тока измеряют измерителями амплитудных значений.

2.3.4. Параметры импульсов должны быть указаны в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типоз.

2.3.5. Температура окружающей среды при измерении должна быть в пределах (25±10) °С.

(Введен дополнительно, Изм. № 2).

3. ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЯ И ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ

3.1. Обратный ток коллектора измеряют следующим образом. От источника постоянного тока на коллектор подают обратное напряжение U^ и с помощью измерителя постоянного тока ИП1 измеряют обратный ток коллектора 1цбо.

Допускается измерять обратный ток коллектора по значению падения напряжения на калиброванном резисторе, включенном в цепь измеряемого тока. При этом должно соблюдаться соотношение R K / кбо ^0,05 U K . Если падение» напряжения на резисторе R K превышает 0,05 U к, то необходимо увеличить напряжение U K на значение, (равное падению напряжения на резисторе

(Измененная редакция, Изм. № 1).

3.2. Порядок проведения измерения 1сво импульсным методом аналогичен указанному в п. 3.1.

3.3. При измерении I кбо импульсным методом должно быть исключено влияние выброса напряжения, поэтому измеряют импульсный ток через интервал времени не менее Зтф с момента

Научно-популярное издание

В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮ

Резисторы - МЛТ-0,5 (Rl, R3), МЛТ-1 (R5), МЛТ-2 (R2, R6, R7) и проволочный (R4), изготовленный из провода с высоким удельным сопротивлением. Лампа HL1 - МНЗ,5-0,28. Стрелочный индикатор - типа М24 с током полного отклонения стрелки 5 мА. Диоды могут быть другие, рассчитанные на выпрямленный ток до 0,7 A (VD6 - VD9) и 100 мА (остальные).

Рис. 8. Внешний вид испытателя мощных транзисторов

Рис. 9. Шкала отсчета индикатора

Прибор смонтирован в корпусе размерами 280Х 170X130 мм (рис. 8). Детали распаяны на выводах пе-реключателей и на монтажной плате, укрепленной на зажимах стрелочного индикатора. Как и в предыдущем случае, к прибору изготовлен (рис. 9), дубли-рующий шкалу отсчета.

Налаживание прибора сводится к установке указан-ных токов эмиттера подбором резисторов R4 и R5. Кон-троль тока ведут по падению напряжения на резисторах R6, R7. Резистор R1 подбирают таким, чтобы со-противлений его и индикатора РА1 была в 9 раз -ше сопротивления резистора R2.

Научно-популярное издание

В ПОМОЩЬ РАДИОЛЮБИТЕЛЮ

Выпуск 100

Издательство ДОСААФ СССР, 1988

Дорогие читателя!

Более трех десятилетий назад на прилавках магази-нов появился первый выпуск сборника «В помощь ра-диолюбителю». от года росла его популярность: тираж вырос почти в 10 раз, а публикуемые материалы отражали рост профессионального мастерства радио-любителей, связанный с развитием радиотехники в це- .

Все новое, интересное, как правило, сразу появля- на страницах сборника. На смену ламповым прихо-дили транзисторные конструкции, вслед за ними - устройства на интегральных микросхемах.